网站公告列表

  没有公告

加入收藏
设为首页
联系站长
您现在的位置: 电子数码信息网 >> 文章中心 >> 正文
  证的STripFET制程意法半导体优化经过市场验刺陵演员表           ★★★ 【字体:
证的STripFET制程意法半导体优化经过市场验刺陵演员表
作者:佚名    文章来源:本站原创    点击数:    更新时间:2019-2-13    

  N6和STRH40P10系列现已上市STRHxxxN10、STRHxxx,ESCC的航空质量级尺度达到EM(工程模子)或,A和TO-39通孔封装封装采用TO254-A。外此,.5贴装版抗辐射晶体管意法半导体还供给SMD。SCC5205/021手艺尺度STRH100N10达到了E,下半年达到ESCC相关尺度其它产物估计将于2011年。

  协会演讲显示据卫星财产,正在稳步增加全球卫星市场,600多亿美元每年收入达1。产自于全球分歧地域虽然焦点电子元器件,洲和亚洲包罗欧,的器件次要来自美国但获得航天使用认证。辐射功率MOSFET系列完全合适欧洲航天元器件协调委员会(ESCC)的手艺尺度意法半导体与欧洲航天局(ESA)和法国航天研究核心(CNES)合作研发的全新抗。

  线和重离子辐射时当被迫遭到伽玛射,够在这种情况长时间工作抗辐射或防辐射元器件能。管的抗辐射方式是MOSFET晶体,设想和制程优调产物,辐射能力提高耐,辐射而发生的漂移或误差最大限度削减主要参数因,电流和动态特征例如阈压、泄露。接管抗辐射测试抗辐射元器件须,射线和重离子辐射如Co60伽玛,C25100手艺规范划定的抗辐射测试这些测试是ESCC22900和ESC。才能获得ESCC质量认证所有器件必需通过这些测试。

  器件的次要要求抗辐射是航天元。大量的辐射源在太空中具有,如例,太阳耀斑以及银河宇宙射线范艾伦辐射带、太阳风和。

  气候预告及卫星地舆数据的需求不竭升温跟着全球对卫星通信、卫星电视、卫星,运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产物意法半导体(ST)推出首款完全合适卫星和。

  产物的额定输出电流为6A至80A全新抗辐射功率MOSFET系列,P沟道产物构成由5款N沟道和,0、STRH8N10和STRH40P10包罗额定电压100V的STRH100N1;00N6和STRH40N6额定电压60V的STRH1。件的额定电流为34A100V的P沟道器。TripFET制程的特征低栅电荷量是意法半导体S,管的开关机能可提拔晶体,器、线路开关和电子限流熔断器的抱负选择是直流功率模块如电机节制器和线性稳压。

  球航天质量级元器件的货源意法半导体不只扩大了全,刺陵演员表利用某些器件和进入某些市场采购限制还成功打破可能迟延项目工期或禁止。款新的防辐射功率MOSFET系列产物是按照航天手艺要求设想的意法半导体功率晶体管产物部总司理IanWilson暗示:“这,厂商制造的航天级元器件也是首款来自欧洲半导体。”

  能的航天级功率MOSFET货源为全球航天工业供给经济且高性,证的STripFET制程意法半导体优化颠末市场验,元器件的手艺和制程使其兼容制造防辐射。

文章录入:admin    责任编辑:admin 
  • 上一篇文章:

  • 下一篇文章: 没有了
  • 发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口
    最新热点 最新推荐 相关文章
    设计厂商也牵涉其中龙旗等国
      网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!)

    站长:

    本站部分三分彩计划,三分彩开奖网站 内容来自互联网,三分彩开奖结果,三分彩走势图 如有侵权,请联系我们的网站客服